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ZnO是六方晶系纖鋅礦結構，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態，氧離子以六方密堆，鋅離子占據一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數均為4，所以容易引入外部雜質，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩定性有很大影響。

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通流容量：

通流容量是指施加規定波形的沖擊電流和沖擊次數，沖擊后壓敏電壓的變化小于或等于規定值時所能通過的電流。它和脈沖幅度，脈沖持續時間及應用中所要承受的脈沖次數有關，可從降額曲線中查得。測量時一般施加8*20μs或2ms的方波。

源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發團隊，廠家直銷！

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能量吸收能力：

能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降額曲線上查到；Vmax可從I-V特性曲線上讀取，對應Imax時的電壓值；tmax可用矩形法求得，數據是用2ms方波，加100次脈沖，脈沖間隔120s，|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。單位體積的能量吸收能力E上限為200-250J/cm3，也有報道超過1000J/cm3的

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